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文档 |
Multiple Devices 30/Mar/2012 |
产品更改通知 | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5.9 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 20nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1850pF @ 12V |
功率 - 最大 | 870mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
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